P25B6EB SMD Tranzistors N-FET, 60V, ±20V, 25A, 35W, 0R023, TO-252
P25B6EB SMD Tranzistors N-FET, 60V, ±20V, 25A, 35W, 0R023, TO-252

* Produktu fotogrāfijas ir tikai noskatīšanai un var dažreiz atšķirties no priekšmeta reāla izskata. Bet galvenās īpašības ir vienādas.

P25B6EB SMD Tranzistors N-FET, 60V, ±20V, 25A, 35W, 0R023, TO-252

Cena: 0.89 €
00006954
P25B6EB-5071
25
  • Apraksts

    • Manufacturer SHINDENGEN
    • Type of transistor N-MOSFET
    • Technology EETMOS2
    • Polarisation unipolar
    • Drain-source voltage 60V
    • Drain current 25A
    • Pulsed drain current 70A
    • Power dissipation 35W
    • Case FB (TO252AA)
    • Gate-source voltage ±20V
    • On-state resistance 29mΩ
    • Mounting SMD
    • Gate charge 14.5nC
    • Kind of package reel,  tape
    • Kind of channel enhanced
    • Additional information
    • Gross weight: 0.364 g
    • Manufacturer part number: P25B6EB-5071

    Parametri

    60V
    25A
    35W
    0R023
    TO-252

    Papildu dokumentācija

Saistītie produkti